2020
07/02
17:00
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非易失性MRAM读写操纵

发布时间:2020-07-02 17:00:55

原标题:非易失性MRAM读写操纵

高相对密度MRAM具有非常低的p=w/t,高的智取速度与激情6,非常高的数据保留能力和和易性,适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米,智取速度与激情6为10ns。智取p=w/t为0.8mA/MHz/b,在低功耗待机程式(LPSB)下,其在25C时的走风电流变送器小于55mA,齐名每比特的漏电流变送器仅为1.7E-12A。对于32Mb数据,它具有100K个循环往复的和易性,而对于1Mb的数据可以>1M个循环往复。它在260°C的IR回流下具有90秒的数据保留能力,在150°C的环境下可保存数据10年以上。

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图3显示了电荷泵对WL和BL/SL的过驱动以及温度经济补偿金的写偏置

 

 

图5.BIST和温度控制器,用于在测试和实行DECECC期间进行自修复和自调试。

 
TMC实行了智能写操纵算法,该算法实现了偏置设置和验证/重试时间,以实现较高的写入和易性(>1M循环往复)。它包含写前读(用于确定需要写哪些位)和动态分期写入(用于提高写货物吞吐量),带写校验的多脉冲写入操纵以及优胜写电压以实现高和易性。该算法如图6所示。
 

 

图6.智能写操纵算法,显示动态组写和带写验证的多脉冲写。

 
MRAM数据可靠性检测
 
在基于自旋的STT-MRAM的成百上千应用中,磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案英文翻译是在封装上淤积物0.3mm厚的磁屏蔽层,如图6所示。实验表明在搬动设备的商用无线多功能充电器的磁感应强度为3500Oe的变动下,暴露100小时的误码率可以从>1E6ppm降低到?1ppm。另外在650Oe的磁场下,在125°C下的数据保存时间超过10年。
 

 

图7.对3500Oe磁场的线速度与激情6降低了1E6倍。

原标题:非易失性MRAM读写操纵

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